El miércoles Samsung anunció que había desarrollado el primer chip de 4gigabits DDR3 SDRAM. El módulo de RAM está construido con un proceso de manufactura de 50 nanómetros que permite que puedan fabricarse módulos de memoria de hasta 8GB de RAM, el doble de lo que es posible ahora. Samsung también podría alcanzar estos mismos resultados para memoria de escritorio típica, llegando hasta los 16GB por módulo.
El proceso de fabricación más pequeño también reduce la cantidad de energía y por lo tanto de calor, haciéndola más eficiente que la memoria DDR3 tradicional. Samsung estima que haya al menos un 20 por ciento de ahorrao de energía comparado con un módulo de 2-gigabit, y tanto como un 40 por ciento en un módulo de 16GB. También deberá ser relativamente rápida con un sólo chip, transfiriendo datos a velocidades de hasta 1.6 gigabits por segundo.
Samsung no dice cuándo espera producir esta RAM en masa, aunque hace notar que ya había llegado a la marca de los 2GB con la memoria de 50 nanómetros en septiembre.
Fuente: Electronista
Me sobrarían 14 gigas como mínimo…
Y pensar que un Lentium IV con 512 de ram puede hacer la mayoría de las tareas para las cuáles usamos nuestros ordenadores… O un G4 a 1400…
…o un iBook G3 800 con 640Mb de RAM como el que estoy usando en este momento, con el que hago tareas de ofimática y hasta edito vídeo con iMovie 4 y una cámara minidv firewire.