Toshiba anunció ayer un nuevo tipo de memoria flash que afirmá entregará un aumento dramático de capacidad sin requerir un cambio importante de la tecnología actual.
Donde las técnicas actuales simplemente apilan capas múltiples la una encima de la otra, el nuevo proceso inserta columnas de silicio a través de las capas que pueden mantener memoria extra en las uniones. El proceso es mucho más fácil que antes y tiene la ventaja importante de aumentar la cantidad de almacenaje en chip flash sin una ampliación significativa de su tamaño físico, permitiendo a las compañías añadir almacenaje con poco esfuerzo.
El diseño también tiene la ventaja añadida del almacenaje creciente directamente en línea con el número de capas en la pila sin derrochar espacio, Toshiba dice: una pila de 32 unidades es 10 veces más eficiente en el escalamiento hacia arriba que el método actual con los mismos factores. La firma no ha proporcionado un aumento de ejemplo en el almacenaje, pero afirma que la técnica podría ser muy útil como la necesidad de aumentos en situaciones de picos de memoria.
Fuente: Electronista
