Samsung encuentra la fórmula para apilar chips de memoria DRAM

En un comunicado de prensa, Samsung anunció haber desarrollado una nueva tecnología llamada “a través de vía de silicio” (through silicon via – TSV) suministrando un modo innovador de apilar chips DRAM uno sobre otro.

Con TSV, Samsung puede doblar la cantidad de RAM en un módulo sin aumentar el tamaño del paquete total o la densidad de transistor del chip. Samsung afirma que dichos módulos pueden funcionar más rápido y usar menos energía.

Aunque da la posibilidad de ofrecer módulos RAM DDR2 4GB con el tamaño de paquete del módulo 2GB actual, también da el nuevo camino para aumentar la cantidad de RAM en dispositivos donde el espacio disponible es el factor clave y crítico (portátil, etc. …). Además, dicha tecnología es más barata que el aumento de la densidad de transistor en chips RAM, cuando éste último implica reducir el tamaño de circuitería.

Fuente: HardMac

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