Transistores modificados ganan un Record Mundial

Investigadores británicos han modificado transistores de silicio común que ofrecerían mejores y más rápidos teléfonos móviles y cámaras fotográficas. Los dispositivos con estos nuevos transistores podrían batir records mundiales para el transistor más rápido de este tipo.

El aumento de la velocidad ha sido conseguido por investigadores de la Escuela de Electrónica y Ciencia Computacional de la Universidad de Southampton, añadiendo flúor a los transistores.

La técnica empleada es facilmente adaptable a la producción de los transistores por las empresas manufacturadoras.

Los transistores adaptados, que sólo requieren un paso más en su fabricación, pueden ser incluidos en teléfonos móviles, reproductores de audio, ordenadores y cámaras fotografícas. El proceso consiste en añadir implantes de flúor con un sistema llamado “implantación de iones” a transistores de silicio con boro.

“En realidad es ingeniería atómica, incluso más pequeña que la nanotecnología” dijo el profesor Ashburn. Los test mostraron una velocidad de 110 GHz durante las pruebas.

El desarrollo de esta técnica podría permitir a los ingenieros crear chips que funcionarán sobre 110 GHz.

El record previo de velocidad para un transistor lo tiene Phillips con transistores construidos para funcionar a 70 GHz.

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Anónimo
Anónimo
17 years ago

fluorine -> flúor

Anónimo
Anónimo
17 years ago

No es por quitarle mérito a esta noticia, lo único que han hecho es dopar una muestra de Silicio, que estaba dopada con Boro, para mejorar las capacidades del semiconductor. Esto se hace desde siempre, no sé por qué esa tonteria de ingenieria atómica.
Y la noticia es buena porque han usado el flúor (la fluorina no existe. Flúor, en ingles, es fluorine) que es muy electronegativo (demasiado, supongo que por eso tambien usan el Boro).

Anónimo
Anónimo
17 years ago

corregido, ¡gracias!

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