SanDisk Corporation ha anunciado hoy la presentación de una memoria flash NAND Multinivel (MLC) que utiliza tecnología de fabricación de 43 nanómetros (nm) desarrollada en colaboración con Toshiba Corporation en Japón. Esta tecnología avanzada de 43nm multiplica por dos la densidad por chip ofrecida por la tecnología de 56nm de 16Gigabit (Gb), lo que reduce el coste unitario sin perder rendimiento y fiabilidad. Durante el segundo trimestre de 2008 SanDisk tiene previsto comenzar el envío de productos que utilizan la densidad más alta que se ofrece en el mercado para memoria flash NAND MLC de un solo chip. El servicio de pedidos comenzará con los productos de 16Gigabit, a los que seguirán los de 32Gigabit en el segundo semestre de 2008.
“Estamos encantados de comenzar la producción en serie de la generación de 43 nm de la memoria flash NAND MLC, con la ventaja que representa en cuanto a reducción de costes”, ha comentado el Dr. Randhir Thakur, vicepresidente ejecutivo de tecnología y operaciones mundiales de SanDisk. “Entre las características tecnológicas que incluye está la arquitectura All Bit line (ABL), patentada por SanDisk, dotada de algoritmos eficientes de programación y tamaño de página de 8 Kilobytes (KB), que ofrece altas capacidades de rendimiento. Además, la utilización de un sistema de litografía de vanguardia y otras innovaciones en la tecnología de procesos y de una arquitectura NAND de cadena de 64 GB pionera en el sector, permiten un menor coste por megabyte y un excelente rendimiento. La generación de tecnología de 43nm será nuestro objetivo principal en 2008 en nuestro esfuerzo por seguir ofreciendo la más avanzada tecnología y costes competitivos a nuestros clientes”, añadió.
SanDisk y Toshiba han presentado hoy un documento conjunto sobre la memoria flash NAND de 43nm y 16Gb en la Conferencia Internacional 2008 sobre Circuitos de Estado Sólido (ISSCC), para informar sobre los avances técnicos logrados.
En su empeño por seguir liderando el desarrollo y la fabricación de tecnología flash NAND avanzada, SanDisk ha comenzado la transición al proceso de fabricación con tecnología de 43 nm en la planta que Toshiba tiene en Yokkaichi, cerca de Nagoya, Japón. SanDisk y Toshiba comparten la producción que sale de esta planta y han desarrollado conjuntamente muchos de los diseños y las tecnologías de la memoria flash NAND MLC. La nueva memoria flash de 43 nm se producirá inicialmente en las instalaciones Fab 4, recientemente inauguradas por SanDisk y Toshiba para la fabricación de wafers (obleas) de 300 mm. En el segundo trimestre de 2008 está previsto que la unidad Fab 3 realice también su transición a la tecnología de 43 nm.
La generación de 43nm de memoria flash NAND unida a los sistemas innovadores de SanDisk y sus controladores exclusivos permitirá que mercados emergentes como el de los Solid State Drives (SSDs) y la NAND gestionada, como iNAND, amplíen las capacidades de almacenamiento flash del mercado móvil, de tan rápido crecimiento, y refuerce nuestro liderazgo en las líneas de productos de alto rendimiento.
