En papeles presentados ayer en la International Solid State Circuits Conference (ISSCC), IBM reveló una tecnología de memoria sobre chip que presenta lo que la compañía afirma son los tiempos de acceso más rápidos jamás registrados en eDRAM (memoria de acceso aleatorio dinámico embebida).
Esta nueva tecnología, diseñada en 65nm de silicio sobre aislante (SOI), mejora dramáticamente el rendimiento de la memoria sobre el procesador en aproximadamente un tercio del espacio con un quinto de consumo de reserva de SRAM convencional (memoria de acceso aleatorio estática), indicó IBM. La compañía añadió que la innovación triplicará la cantidad de memoria contenida en un solo chip de alta calidad, y su prototipo eDRAM contiene más de 12 millones de bits y lógica de alto rendimiento.
La IBM espera que la tecnología sea una característica clave de su previsto microprocesador de 45nm y estará disponible a principios de 2008.
Fuente: Digitimes
