Toshiba y Sandisk amplían la producción de memoria flash nand con la construcción de una nueva fábrica en Yokkaichi Operations

Toshiba Corporation y SanDisk han anunciado un acuerdo para construir una nueva instalación para la fabricación de placas de 300 milímetros en el complejo Yokkaichi Operations de Toshiba con el fin de satisfacer la creciente demanda de memoria flash NAND. El anuncio subraya la posición de la memoria flash NAND como la tecnología de almacenamiento a escoger para productos móviles y dispositivos digitales de consumo, incluyendo reproductores de música MP3 y tarjetas de memoria para teléfonos móviles. De esta forma, se pone de relieve la determinación de Toshiba y SanDisk de mantener su posición de liderazgo en este mercado de rápida expansión

Las compañías planean empezar la construcción de la nueva planta en agosto de 2006, con operaciones iniciales de producción previstas para el cuarto trimestre del año 2007. Toshiba financiará la construcción del edificio, mientras que ambas compañías aportarán fondos para el equipamiento de fabricación. Fab 4 tendrá un tamaño similar al de la actual instalación para placas, Fab 3, actualmente en funcionamiento en Yokkaichi (Japón).

Ambas empresas iniciaron las operaciones de una moderna fábrica de placas de 300 mm, Fab 3, en el verano de 2005, en Yokkaichi Operations, y han aumentado proactivamente la capacidad de la instalación para satisfacer la demanda del mercado. El anuncio actual refleja el reconocimiento de las compañías sobre la necesidad de construir una nueva instalación, en paralelo a la expansión de la Fab 3, con el objetivo de satisfacer la anticipada demanda de productos de memoria flash NAND en 2008 y posteriormente.

Hablando de la nueva instalación, Masashi Muromachi, vicepresidente corporativo senior de Toshiba Corporation y presidente y CEO de la compañía de semiconductores de Toshiba, afirma: “El mercado de memoria flash NAND está disfrutando de un rápido crecimiento, al que Toshiba ha respondido ampliando la capacidad de producción. Mantendremos el liderazgo en el mercado a través de continuas inversiones de capital en la capacidad de producción, así como en tecnología avanzada de procesos y tecnología de celda multinivel. Fab 4 asegurará aún más nuestra disponibilidad para responder a la demanda de memoria flash NAND de alta densidad en este creciente mercado”.

Dr. Eli Harari, presidente y CEO de SanDisk, añade: “Este anuncio es un paso valiente por parte de SanDisk y Toshiba. Para SanDisk, demuestra nuestro optimismo respecto al continuo crecimiento de la demanda de nuestros productos en electrónica de consumo y dispositivos portátiles durante los próximos años, así como nuestra confianza en la continua competitividad futura de la asociación Toshiba-SanDisk. Creemos que la Fab 3 de Yokkaichi, que está creciendo rápidamente, y la nueva Fab 4 tendrán una estructura de costes altamente competitiva. La producción resultante creará una extraordinaria base de suministro que esperamos que aumente significativamente nuestros ingresos procedentes de nuevos mercados y geografías en la segunda mitad de esta década”.

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