Intel está desarrollando un chip de memoria flash que dobla la densidad de almacenamiento de los modelos actuales y que podría utilizarse por ejemplo en teléfonos móviles ya en 2007. La tecnología de 65 nanómetros (nm), en lugar de la actual de 90 nm, permite almacenar hasta 1 Gb de datos en una única capa.
Intel planea empezar a enviar este chip, cuyo nombre en clave es Capulet, a lo largo del cuarto trimestre del año. La intención es adelantarse al menos seis meses al lanzamiento de productos similares por parte de sus rivales Spansion y Samsung (que dice estar preparando un chip de 1 Gb utilizando tecnología de 70 nm).
En cualquier caso, los analistas vaticinan que este lanzamiento de la tecnología 65 nm no significará una revolución inmediata en el segmento de la telefonía móvil, sino que se trata del inicio de una evolución a más largo plazo.
Capulet saldrá a la venta justo doce meses después que su inmediato predecesor, el Intel StrataFlash Celullar Memory Chip de 90 nm. Este producto utiliza una MLC de 1,8 voltios diseñada para soportar entre 256 y 512 Mb en una sola capa, o hasta 1 Gb en capas múltiples.
El nuevo chip utilizará la misma arquitectura M18, lo que permitirá a los desarrolladores actualizar las plataformas telefónicas sin tener que cambiar el software y hardware.
La memoria flash NOR ofrece un tipo de almacenamiento basado en circuitos integrados, sin partes móviles. Es una memoria no volátil que puede guardar los datos incluso cuando no tiene batería. Los diseñadores la eligen a menudo para el almacenamiento de código, porque permite el acceso aleatorio a los datos, con una lectura y procesamiento rápidos. A medida que su densidad aumenta, la memoria NOR será utilizada cada vez más en teléfonos, PDAs, cámaras digitales y reproductores MP3.
Fuente: Macworld
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