Toshiba reveló el miércoles que ha desarrollado un nuevo proceso de diseño que debería aumentar enormemente la capacidad de la memoria flash para almacenaje futuro.
Conocida como la tecnología de doble capa de túnel, soporta una capa de silicio de nanocristales que ayuda a almacenar memoria entre un par de capas de óxido que ayudan a controlar el flujo de electricidad dentro y fuera del silicio; como los túneles son de sólo 1 nanómetro de grueso, esto ayuda a moverse a procesos industriales más pequeños, tanto como 10 nanómetros, que puede almacenar más datos en el mismo espacio, según Toshiba. También mejora la velocidad total de escritura o borrado de datos.
Combinado con el mejoramiento de la pureza eléctrica de la memoria, el proceso de túnel debería permitir que la memoria flash almacene aproximadamente 100 gigabits (12,5 gigabytes) de datos en un chip de capa única. El descubrimiento todavía está tierno, dice la compañía, pero debería estar disponible en el hardware de producción de cuatro generaciones de memoria flash desde la tecnología de hoy día.
Fuente: MacNN
