Una nueva investigación nos acerca a un nuevo tipo de memoria de ordenador que combinaría la capacidad de un disco duro magnético con la velocidad, el tamaño y la robustez de la memoria flash.
Esta tecnología de almacenamiento, llamada memoria racetrack, fue propuesta por primera vez en 2004 por Stuart Parkin, investigador en el Centro de Investigación Almaden de IBM, que se encuentra en San José, California. Recientemente, un equipo dirigido por Parkin ha determinado exactamente cómo se mueven los bits dentro de un circuito de memoria del sistema bajo la influencia de una corriente eléctrica. Este conocimiento ayudará a los ingenieros a asegurar que los datos se almacenan sin sobrescribir información almacenada previamente.
El nuevo trabajo también ayuda a explicar un misterio que rodeaba a la física básica de la memoria racetrack–si los bits actúan o no como partículas con masa, acelerando y desacelerando, cuando se mueven a través de la corriente eléctrica. «A fin continuar desarrollando la memoria racetrack, tenemos que entender la física que hace que sea posible», indica Parkin.
En la memoria racetrack, los bits de información están representados por pequeñas secciones magnetizadas a lo largo de un nanocable llamadas paredes de dominio. Estas paredes de dominio pueden ser empujadas—para cambiarlas de un «0» a un «1» o viceversa–cuando se les aplica corriente eléctrica. A diferencia de la tecnología de almacenamiento actual, la memoria racetrack tiene el potencial para almacenar bits en tres dimensiones, si los nanocables se insertan verticalmente en un chip de silicio. La información almacenada es leída magnéticamente.
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