El largo adiós al silicio

En algún momento durante las próximas décadas, los fabricantes de chips ya no serán capaces de fabricar chips de silicio más rápidos mediante la inclusión de transistores más pequeños en el chip. Eso de debe a que los transistores de silicio simplemente tendrán demasiadas fugas y será costoso hacerlos más pequeños.

Las personas dedicadas al trabajo con materiales que podrían tener éxito sustituyendo al silicio deben superar muchos desafíos. En la actualidad, un grupo de investigadores de la Universidad de California, en Berkeley, ha encontrado una forma de superar uno de los obstáculos: han desarrollado un método fiable para crear transistores más rápidos, de bajo consumo y nanoscópicos, de un material semiconductor compuesto. Su método es más simple, y promete ser menos costoso que los existentes.

Los semiconductores compuestos poseen mejores propiedades eléctricas que el silicio, lo que significa que los transistores hechos con dicho material requieren menos energía para funcionar a velocidades más rápidas. Estos materiales ya se usan en algunas costosas aplicaciones específicas, como los equipos de telecomunicaciones militares, lo que les da ventaja sobre otros reemplazos potenciales de silicio más exóticos como los nanotubos de carbono y el grafeno.

Sin embargo, las obleas de materiales semiconductores compuestos también son muy frágiles y costosas, “lo cual sólo es aceptable cuando el coste no sea importante”, afirma Ali Javey, profesor asociado de ingeniería eléctrica y ciencias informáticas en la Universidad de California, Berkeley. Los semiconductores compuestos están en el mercado dentro de los caros chips de comunicaciones militares, por ejemplo.

Los investigadores creen que pueden superar esta fragilidad y coste mediante el cultivo de transistores de semiconductor compuesto en la parte superior de una oblea de silicio—un truco que debe ser compatible con la infraestructura de fabricación existente.

Más información en MIT

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