La tecnología de 3 bits por celda ha sido desarrollada en colaboración con Toshiba, que comparte con SanDisk el desarrollo y la fabricación de memorias flash avanzadas. En la Conferencia Internacional 2008 sobre Circuitos de Estado Sólido (ISSCC), SanDisk y Toshiba presentan hoy un documento técnico en el que se describen los principales avances tecnológicos que han dado lugar a la memoria flash NAND de 16 Gb y 3 bits por celda con tecnología de 56 nm, con un rendimiento de grabación de 8 megabytes por segundo (MB/seg).
En palabras de Dr. Khandker N. Quader, vicepresidente senior de diseño de memoria flash y desarrollo de productos de SanDisk, “Se ha utilizado la innovadora arquitectura All Bit Line (ABL), patentada por SanDisk, que utiliza algoritmos de programación avanzados patentados y programas de almacenamiento de datos multinivel, para superar los retos planteados por el desarrollo de los chips de memoria flash NAND de 3 bits por celda (x3), sin sacrificar el rendimiento ni la fiabilidad, poniendo de esa forma las bases para el uso generalizado de la memoria x3 en muchas de las líneas de productos SanDisk. Creemos que la tecnología x3 es un logro de primer orden para la memoria flash que ampliará la Ley de Moore en esta y las futuras generaciones de almacenamiento flash NAND”.
SanDisk está segura de que la introducción de la tecnología 3x con una velocidad de grabación equiparable a la de productos con memoria MLC va a permitir a SanDisk hacer frente desde una buena posición a las crecientes demandas del mercado de memoria flash con mayor densidad para una más amplia variedad de aplicaciones y con un coste significativamente menor con respecto a los productos MLC de 2 bits por celda que emplea la misma tecnología. Los conocimientos avanzados a nivel de sistemas son fundamentales para producir memoria NAND 3x, y SanDisk tiene los necesarios para ofrecer una ventaja competitiva excepcional para aprovechar la potencia de la tecnología NAND de 3 bits por celda.
