Fujitsu Laboratories anunció un logro en la RAM resistente, o ReRAM. ReRAM es una memoria permanente con un bajo consumo de energía.
Fujitsu ha trabajado atravesando algunas barreras tecnológicas para crear una solución ReRAM que tenga menos impacto por limitaciones de diseño, mientras disminuye la energía de ciclo de borrado a 100 microamperios o menos en 5 nanosegundos.
Los laboratorios de Fujitsu descubrieron que añadiendo titanio al óxido de níquel, y limitando el flujo actual del diseño del transistor, los requerimientos de energía de borrado de memoria de 100 microamperios o menos son posibles en 5 nanosegundos.
Además, las fluctuaciones que naturalmente aparecen con el tiempo, aquellas que alteran los valores de resistencia de células individuales y tienen un impacto negativo en la uniformidad y operativa, se han reducido a sólo el 10% de los niveles vistos en «ReRAM convencionales». Estas adiciones a la tecnología quitan barreras anteriores y barreras a la posible amplia adopción, conviertiéndola en una solución alternativa de reemplazo verdadera para la memoria flash.
Fuente: TGDaily
