Un iPhone con un terabyte de almacenamiento

¿Te has preguntado lo que sería un iPhone o un iPad con 1 terabyte de almacenamiento? O mejor ¿dos? Posiblemente se acabarían tus problemas de almacenamiento. ¿Podría Apple crear dispositivos así? La verdad es que ahora lo tiene más fácil con la decisión de la empresa Crossbar de salir de la fase de prototipos de su memoria 3D resistiva RRAM para pasar a fabricación.

La memoria RRAM tiene una serie de grandes ventajas frente a la memoria NAND que estamos utilizando en nuestros dispositivos móviles y es que tiene una mayor densidad que la actual memoria que está acercándose a su límite con, además, una mayor durabilidad y rendimiento. La mejor memoria NAND tiene aproximadamente una vida de 100.000 ciclos de lectura-escritura, mientras que la RRAM eleva esa cantidad hasta 100 millones según, eso sí, fuentes de la compañía.

La RRAM además de una mayor durabilidad tiene otras características que la hacen más apetecible que la memoria NAND para dispositivos móviles: consume 20 veces menos en el almacenamiento de datos y tiene una latencia 100 veces inferior a la memoria NAND lo que implica un rendimiento muchísimo mayor según Crossbar.

Gracias a su mayor densidad, la RRAM puede ser construida en placas de silicio que tienen la mitad del tamaño de las actuales “galletas” que están utilizando los fabricantes de memoria NAND con la ventaja que los fabricantes no necesitarán modificar sus herramientas y procesos de fabricación.

Pero antes de enviar la RRAM a fabricar en cantidades masivas, Crossbar tuvo que superar un importante obstáculo tecnológico: los errores causados por las fugas de electrones entre las células de memoria.

La fuga de electrones es un problema común en la memoria no volátil, incluso en unidades de estado sólido flash NAND de hoy (SSD). A medida que el tamaño de los transistores se reducen por debajo de 20 nanómetros y la densidad de chips se incrementa, los bits almacenados en las células tienen pequeñas fugas a través de las células adyacentes, creando errores de datos.

Samsung, Intel, Micron y otros fabricantes de SSD han aumentado el trabajo en el código de corrección de errores en sus dispositivos para tratar el problema. Y más de una empresa ha trasladado sus proceso de fabricación a la memoria 3D NAND, que apila las células hasta en 32 capas para aumentar la densidad, ofreciendo un respiro ante este problema sin la necesidad de una nueva reducción de tamaño de la celda.

El proceso más denso para la creación de células de memoria flash de silicio para almacenar datos en memoria plana (2D) NAND es de entre 10 nanómetros (nm) y 19nm de tamaño. La memoria 3D RRAM comienza a trabajar con un proceso mucho más grueso, lo que facilita además su fabricación, 20nm.

Para superar el problema de error de datos con su RRAM, Crossbar inventó una manera de ocultar las células adyacentes de los que están siendo programadas para almacenar datos, aislándola así de cambios no intencionales. Lo hizo mediante el establecimiento de un rango de tensión específico para las células. Las células programadas entre -1 y 1 voltios se ignoran, y nada fuera de ese rango, pueden ser reprogramada para introducir nuevos datos.

Lo que está claro es que Crossbar está dispuesta a revolucionar el mercado del almacenamiento dispositivos móviles con su nueva RRAM. La empresa no ha hablado de otro punto importante: el precio de cada chip. Sin embargo, con las capacidades de almacenamiento, un mayor rendimiento por chip y un menor consumo, seguramente muchos fabricantes de dispositivos móviles estarían dispuestos a algo más que evaluar esta nueva memoria para integrarla en sus dispositivos para ofrecer por vez primera, por ejemplo, un iPhone con 1, 2 y 3 terabytes de almacenamiento, rompiendo la barrera del gigabyte por vez primera.