PRAM y MRAM, de camino en tres años

Un instituto de investigación taiwanés financiado por el gobierno dice que tendrá productos de memoria de cambio de fase (PRAM) dentro de tres años, mientras otra tecnología de memoria para rivalizar con DRAM (RAM dinámica), RAM magneto resistente (MRAM), estaría disponible hacia finales de 2008.

El Instituto de Investigación de Tecnología Industrial (ITRI), en sociedad con seis fabricantes de chip taiwaneses, comenzó a desarrollar la memoria de cambio de fase hace dos años. Hasta ahora, al grupo le han sido concedidas aproximadamente 50 patentes para la tecnología y chips de prototipo y obleas de silicio acabadas. Las obleas de silicio son la materia prima donde los chips son grabados, y una sola oblea tiene docenas o cientos de chips terminados. Una oblea terminada es un signo de progreso para una nueva tecnología industrial de chip.

PRAM puede retener datos cuando se corta la alimentación a los chips, similar a la memoria flash convencional. Pero PRAM puede reescribir datos 30 veces más rápido que la memoria flash, y se espera tenga al menos 10 veces la vida útil.

TSMC e ITRI también trabajan en la tecnología MRAM. A los dos les han concedido más de 40 patentes relacionadas con la tecnología MRAM, dijo Chang. TSMC tendrá probablemente la tecnología lista y disponible para los clientes hacia finales del próximo año o a principios de 2009, dijo.

MRAM combina la capacidad de retener datos cuando se corta la energía con velocidades de procesamiento rápidas comparables con DRAM. DRAM es rápido, pero no puede retener datos sin alimentación eléctrica.

Fuente: Infoworld