Intel y Micron fabricarán memoria NAND Flash a 20 nanómetros
Intel Corporation y Micron Technology Inc. han presentado su nuevo proceso de fabricación de 20 nanómetros, más miniaturizado, para la producción de memoria flash NAND. El nuevo proceso de fabricación en 20 nanómetros permite producir módulos flash de memoria NAND MLC (multi-level cell o módulos multinivel) de 8GB, una opción de almacenamiento de alta densidad y pequeño tamaño para almacenar música, vídeos, libros electrónicos y otros datos en smartphones, tablets, y dispositivos informáticos como SSD (solid state drives o unidades de memoria sólida).
El aumento en las necesidades de almacenamiento de datos, unido a las cada vez mayores posibilidades de tablets y smartphones, está creando nuevas exigencias para la tecnología flash NAND, y específicamente lo que se busca obtener es un aumento en la capacidad en diseños más reducidos. Los nuevos módulos de 8GB en proceso de 20 nm miden tan solo 118m2 y permiten ahorrar entre un 30 y un 40% de espacio (dependiendo del tipo de paquete del módulo) respecto a los actuales módulos NAND de 8GB realizados en proceso de 25 nm.
Producidos por IM Flash Technologies (IMFT), la joint-venture de Intel y Micron para la producción de memoria flash NAND, los nuevos módulos de 8GB en proceso de 20 nm constituyen toda una revolución en la producción y tecnología de diseño de memoria NAND y aumentan más si cabe el liderazgo de ambas compañías. La miniaturización para memorias NAND a este nodo tecnológico es el método más económicamente eficaz de aumentar la producción de una instalación, ya que permite expandir en torno a un 50% la capacidad (en GB de memoria producidos) de cada una de estas plantas, si se lo compara con el proceso tecnológico actual. El nuevo proceso en 20 nanómetros mantiene niveles de rendimiento y durabilidad similares a los que ofrecía la tecnología NAND en 25 nanómetros a la que reemplaza.
Los módulos de 8GB en proceso de 20 nm se encuentran en fase de pruebas y se espera que lleguen a la producción en masa a lo largo del segundo semestre de 2011. Para entonces, Intel y Micron esperan contar con unidades de muestra de módulos de 16GB, que permitirían crear dispositivos de 128GB de capacidad en soluciones individuales de almacenamiento de memoria sólida más pequeños que un sello de correos convencional.
