Intel comienza la fabricación de chips de memoria Flash de 32 GB y 34 nanómetros

Intel y su socio fabricante de memoria, Micron, han hecho público que han iniciado a producir en masa su prometida memoria NAND flash de 34nm. El proceso de fabricación más pequeño permite a las dos firmas producir capas individuales de chips con 32 gigabits de datos en un paquete estándar y en cantidades grandes usando wafers regulares de 300mm. La tecnología es lo suficientemente pequeña como para permitir ocho núcleos por capa y permitiría que un stack de dos capas cargara tanto como 64 GB sin necesitar chips enteramente separados.

La compañía explícitamente dirige la nueva tecnología a la electrónica portátil, incluyendo teléfonos móviles, reproductores MP3 y aparatos similares, donde el espacio para la memoria es vital. También deberá producir un incremento "dramático" en la capacidad de los discos de estado sólido al combinar varios chips discretos.

Ni Intel ni Micron dicen cuándo la memoria de 34nm alcanzará los productos en venta, aunque añaden que están "adelantados" en la producción. El tiempo de producción pone la publicación de la mayoría de estos aparatos a principios de 2009.

El lanzamiento de Intel pone a la compañía en competencia directa con Toshiba, que espera publicar un módulo de 32Gb que competirá en un tiempo similar a la de Intel. El tamaño relativo y el costo de los dos chips no está disponible, aunque la parte de Toshiba está hecha de un proceso menos denso de 43nm, que es potencialmente más grande.

Se cree que Apple esta esperando estos chips para actualizar el almacenamiento del iPhone y iPod touch: el primero tiene espacio para un sólo chip de memoria con su diseño actual y por lo tanto necesita de la nueva tecnología para incrementar su espacio.

Fuente: Electronista